ATP204
0 μ
1m
10 ms
0m
10
9
8
7
6
VDS=15V
ID=100A
VGS -- Qg
7
5
3
2
100
7
5
3
2
IDP=300A
ID=100A
ASO
10
PW≤10μs
10
s
s
s
10 μ
s
5
4
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
Tc=25 ° C
Single pulse
0.1
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
3
2
0.1
2 3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
70
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Tc
IT15006
120
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
EAS -- Ta
IT14982
60
100
50
80
40
60
30
40
20
10
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
25
50
75
100
125
150
175
Case Temperature, Tc -- ° C
IT14983
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT14011
No. A1551-4/7
相关PDF资料
ATP206-TL-H MOSFET N-CH 40V 40A ATPAK
ATP207-TL-H MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK
ATP208-TL-H MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK
ATP212-TL-H MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK
ATP213-TL-H MOSFET N-CH 60V 50A ATPAK
ATP214-TL-H MOSFET N-CH 60V 75A ATPAK
ATP216-TL-H MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK
ATP218-TL-H MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK
相关代理商/技术参数
ATP206 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
ATP206_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
ATP206-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 40V 40A ATPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
ATP207 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
ATP207_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
ATP207-S-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:上次购买时间 FET 类型:- FET 功能:- 漏源极电压(Vdss):- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:ATPAK(2 引线 + 接片) 供应商器件封装:ATPAK 标准包装:3,000
ATP207-TL-H 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ATP208 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications